ドイツ イノバベントGmbH

イノバベント社の主要メンバーはレーザ工学、プロセス技術、光学設計、に精通した物理学者で構成されており固体レーザ用光学システムの設計、製造、コンサルティング及びプロセス開発を行うレーザ光学システムのパイオニアです。
特にシリコン薄膜のレーザアニーリングプロセスに特化した光学系を得意とし、次世代ディスプレイデバイス及び高密度半導体デバイスの技術革新を担うキーテクノロジーとして欠かせない技術を誇ります。

VOLCANOラインビーム光学系は高出力の固体レーザを用いガウシャンラインビームを750mm以上の長さで均一に照射でき大面積のTFTアニールが可能です。低コストのためELAからの置き換えを検討されています。
LAVAオプティカルシステムは、高性能結像レンズを採用しているため2ミクロンの解像度で結像が可能で、結晶のつなぎ合わせなど高度のプロセスに採用されます。

研究開発のためのクリーンルームには数百ワットの高出力の固体レーザを複数接続した長尺のVOLCANOラインビームホモジェナイザーやパルス時間幅を自由に可変できる固体レーザで組んだ高解像度の投影光学系、連続発振の固体レーザ等が配備されており、各プロセスに最適化されたレーザ及び光学システムの組み合わせでプロセスの評価が出来ます。大型の高速精密ステージとオートフォーカス昨日により大型の基板サイズでの評価が可能です。

レーザ光学システム

結晶化、アニーリング、ドーパント活性化のためのレーザ光学システム

イノバベント社 - 結晶化、アニーリングと半導体のドーピング応用のためのレーザ光学システムはモジュラーデザインで、ユーザーとシステムインテグレータとの協力によって開発されています。
低予算のライン集光光学システムからレーザー均一化光学系、 結像レンズ、ビーム計測を含む複雑なレーザー光学サブシステムまでの広い範囲での製作を致します。

VOLCANO® LINE BEAM レーザ光学系は750 mmのライン長で短軸半値幅20 μmガウシアンという強烈なアスペクト比のラインビームを作ることが出来ます。 高出力のグリーン (532nm) DPSSレーザ光源がファイバーによりこのラインビーム光学モジュールに供給されます。この方法によりレーザ光源 (英国パワーレーズ社Starlase 200G 及び ) を多重化させ、750mmの長いラインで500mJ/cm2 以上のエネルギー密度を得ることが出来ます。 このライン形状は有機ELや液晶-TFT 製造のためのp-Si 膜のプロセスに適しており。
ELA(エキシマレーザアニール)からの置き換えが検討されています。

VOLCANO® レーザ光学系 は200 mmまでのライン長(0.1-1mmの立ち上がり)でスキャン軸(短軸)はINNOVAVENT FALCONR 結像レンズファミリーによりシリンドリカルの結像が行われます。半値幅10 μm のシャープなプロファイルになります。
レーザ光源は波長515 nm のJenLasR ASAMA 80-8を使用します。 このレーザはパルス時間幅を300 ns から 1,200 ns までソフトウエアによる設定で調整出来きそのビーム特性はラインビームのために最適化されています。

3番目の製品グループ LAVA® レーザ光学系はレーザ光源として波長515 nm のJenLas® ASAMA 100 -1 による高繰り返し50 kHz 又は 100 kHz を採用しています。 LAVARレーザ光学系には球面結像レンズが入っており、 CaF2 の高性能のレンズ EAGLERplusはキーモジュールになります。 これは10mmの視野では熱レンズ効果の無い回折限界のラインの結像を可能にします。

LAVA® CW レーザ光学系は CaF2 EAGLE®plus 結像レンズと連続発振のJenLas® D2 laser 技術を採用しています。 第二高調波532 nm Nd: バナジウムディスクレーザは8Wのマルチモードの光出力を発光します。多重化により160Wまでの高出力化が出来、ホモジェナイザー光学系への光ファイバー伝送により高安定性と均一なラインビームを形成することが出来ます。
LAVA 64CW: 64 W, 100 kW/cm2, ライン長1.2mm, 半値幅30-35 μm, 均一性1 σ <=1.5 %


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