ドイツ イノバベントGmbH

VOLCANO® semi IGBT レーザ光学系

515nm IGBT バックサイドアニーリング用レーザ光学系

JenLas® ASAMAレーザーの組み合わせによるVOLCANO®レーザー光学系は、特にIGBTエミッタと電界停止層の活性化に適しています。 JenLas® ASAMAレーザーのパルス時間幅は、深いドーパントの活性化のために選ばれており、同時にウェーハ前面または保護テープへのダメージを防止します。
レーザーパルス時間幅、ライン幅、スキャン速度などのレーザビーム・パラメータを選択することによって、活性化の深さは正確に制御されます。リンの電場停止層は2μmまでの深さを活性化することができます。
VOLCANO®レーザー光学系はスループット条件に従ってJenLas® ASAMA80-8 デスクレーザ単体でも、または2つのホモジナイザー連結した2台のJenLas® ASAMAのでも動かすことが出来ます。

応用範囲
IGBTの(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、100μm若しくはそれ以下の厚みの薄厚化ウェーハで製造されます。 しばしばこの薄厚化ウェーハは、すでに処理された前面にいわゆるTAIKO研磨プロセス(DISCO社、日本)と保護テープを用い機械的に安定化します。  このテープは高いプロセス温度に耐えられません。
活性化がVOLCANO® semi IGBT Laser Opticsでなされるならば、電場停止層とエミッター層の双方に75%以上の活性化率が実現出来ます。
このテープは、この高温プロセスの間無傷です。

特徴
VOLCANO® semiIGBTレーザー光学系:1台若しくは2台のJenLas® ASAMA 80-8をFALCON®ラインビーム光学系と組み合わせることが出来ます。


VOLCANO® semi IGBT レーザ光学系

技術データ
長軸長さ 3mm - 6mm(FWHM)
均一性 5%以内(6σ)
波長 515nm
ライン幅 30 - 40μm(典型値)
エネルギー密度 最大5,000mJ/cm2
パルス時間幅 300-1200ns (VOLCANO 160では300-3000ns)
レーザ 1台 または 2台の JenLas® ASAMA 80-8, 80 W @ 10 kHz
ビームプロファイラー 顕微鏡対物レンズ付きCCDカメラ

VOLCANO® レーザ光学系は試料面のエネルギー密度を調整する内蔵のアッテネータモジュールを含んでいます。高速のAOM (音響光学変調器) シャッターは単パルスの切り出し用途に有効です。
パワーメータ、CCDカメラ方式のビームプロファイル計測機器が装備出来ます。
VOLCANO® Laser Optics has high availability (>90 %), is reliable and has low cost of ownership.

輸出管理規制
EG 428/2009 and EG 1232/2011 によるJenLas® ASAMAレーザのデュアル使用


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