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VOLCANO® semi イメージセンサーレーザ光学系

515nm CMOS センサレーザアニーリング用レーザ光学系

VOLCANO® semiIMAGE SENSOR レーザ光学系によるレーザー活性化は高温が浅い表面境界層に限定されるように必要となる精度で制御することができます。
金属接触が無傷のままの間、高い活性化率は必要な均一性で溶融または固相どちらのプロセスでも達成できます。
JenLas® ASAMAレーザーと組み合のVOLCANO®レーザー光学系は、特にこのプロセスに適しています。JenLas® ASAMAレーザーのパルス時間幅は、高い活性化率のために最適化されており、同時にSi格子欠陥と表面テクスチャーのダメージを防止します。

VOLCANO® semi IMAGE SENSOR レーザ光学系は、 515nmの波長で最長36mmの長さで幅5から10μmのレーザーラインを発生します。 それはJenLas® ASAMA 80-8と生産ラインへの組み込みために設計されています。 このレーザー光学系は均一なラインをつくります。 重要な光学部品はFALCON®シリンダー投影-レンズです。そして、それは基板面で最大2.500mJ/cm2のエネルギー密度を発生します。

応用範囲
バックサイドから照射されるCMOSイメージセンサーは、小ピクセル・サイズで小チップサイズの高感度の種類のセンサーです。 背側からの照射のためコンタクト若しくは他の構造に起因した光の損失はありません。
これらのイメージ・センサは主に携帯電話と他のモバイル機器の様々なアプリケーションをに使われます。 これらのCMOSセンサーはウェーハ裏面の浅いPN接合の活性化を必要とします。 メタルコンタクトは高温プロセス中に容易に損害を受けうる数μmの深さに位置します。従って活性化は標準的なRTPシステムで遂行できません。低温活性化は、低い活性率に限定されます。
パルスレーザー活性化は、卓越したプロセス結果を提供します。

特徴
VOLCANO® semiイメージ・センサレーザー光学系:JenLas® ASAMA 80-8とFALCON®ラインビーム光学系との組み合わせです。


VOLCANO® semi イメージセンサーレーザ光学系

技術データ
長軸長さ 25mm-36mm(FWHM)
均一性 5%以内(6σ)
波長 515nm及び635nm (フォーカスモニター)
ライン幅 74μm(FWHM) 典型値
エネルギー密度 最大2,500mJ/cm2 (可変)
レーザ JenLas® ASAMA 80-8, 80 W @ 10 kHz
パルス時間幅 300-1200ns, ソフトウエア設定
ビームプロファイラー 顕微鏡対物レンズ付きCCDカメラ

輸出管理規制
EG 428/2009 and EG 1232/2011 によるJenLas® ASAMAレーザのデュアル使用


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