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レーザーデボンディングシステム



レーザーデボンディング (LDB)とは半導体工程で露光プロセスにより形成されたデバイスを基板の裏からレーザーにより剥離する工法です
オプトピアでは電子デバイスの研究所でも使用できるようにコンパクトな装置に仕上げており操作も非常に簡単になっています
レーザーデボンディングシステム［レーザーリフトオフラボ用システム］

固体UVレーザーデボンディング装置　LSL-100
［レーザーリフトオフ装置］


本装置は固体UVパルスレーザを用いて弊社独自の光学系によりラインビームを形成し、ワーク上の基板をステージで動かすことにより基板全面にレーザーリフトオフ（LLO）プロセスを行うための実験装置です。
  1. 小型・低価格(キャスターにより移動可能)
  2. 電源のみで使用可能
  3. クラス４の安全対策（光路/摺動部遮蔽・インターロック）
カタログPDF
※ワークサイズが最大515mm x510mmmのLSL-100-515もございますカタログPDF
LSL-100 仕様
波長 355nm
ラインビームサイズ 長さ 100mm × 幅 0.4mm
照射エネルギー密度 30 ～ 300mJ/cm2　　バリアブルアッテネータ調整
ビームオーバーラップ 0% ～ 95%　　ステージ制御
ワークサイズ 最大 370mm × 470mm (600□まで可）
処理能力 5分（200mm角パネル）
装置サイズ L1500mm x W1400mm x H1760mm

固体UVレーザーデボンディング装置　LSL-730
［レーザーリフトオフ装置］


本装置は固体UVパルスレーザを用いて弊社独自の光学系により均一なラインビームを形成し、ワーク上の基板をステージで動かすことにより基板からデバイスを剥離するための装置です。
剥離基板及びデバイスはロボットアームによりトレイに回収されます。
  1. 固体レーザを使った強度のラインビームにより安定した剥離プロセスを実現。
  2. 毒ガスなどの付帯設備が不要で低価格で低ランニングコスト。
  3. 大型基板(730mm x 460mm)対応
カタログPDF
LSL-730 仕様
波長 355nm
ラインビームサイズ 長さ 100mm × 幅 0.4mm
照射エネルギー密度 40 ～ 300mJ/cm2　　バリアブルアッテネータ調整
ビームオーバーラップ 0% ～ 95%　　ステージ制御
ワークサイズ 最大 730mm × 460mm
処理能力 10分
装置サイズ L 2,800mm x W 1,900mm x H 2,100mm
レーザーデボンディング応用例
フレキシブルディスプレイ後工程、LED製造、薄膜半導体工程において基板上で露光プロセスにより形成されたデバイスを基板の裏からレーザーにより剥離するレーザーデボンディング・プロセス(LDB)が使われるようになっています。レーザーアブレーション加工が出来る材質であればガラスやサファイヤなどレーザー光を透過する基板を用いてレーザー照射により瞬間的に界面の剥離が可能なため用途が急速に広がっています。
なおレーザーデボンディングはレーザーリフトオフとも呼ばれます。
マイクロLED
薄膜半導体
有機半導体
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